MBE生长面发射激光器的原位厚度监测 | |
王圩![]() | |
刊名 | 半导体学报
![]() |
1996 | |
卷号 | 17期号:8页码:589 |
中文摘要 | 在MBE生长"DBR型结构性材料"的过程中,由于生长中的多层结构干涉效应,使高温黑体辐射谱呈现振荡现象,利用此现象辅以计算机数据拟合,可以实现MBE生长中层次、组分和厚度的实时监控,对MBE系统生长垂直腔型结构材料的实时质量监控有重要意义.利用红外高温仪对VCSEL器件生长全过程(包括谐振腔)及多种组分DBR的表观衬底热辐射振荡进行监测,采用准黑体模型,结合扫描电镜、光反射谱等结果进行了分析,理论与实验得到了较好的吻合. |
学科主题 | 光电子学 |
收录类别 | CSCD |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19637] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王圩. MBE生长面发射激光器的原位厚度监测[J]. 半导体学报,1996,17(8):589. |
APA | 王圩.(1996).MBE生长面发射激光器的原位厚度监测.半导体学报,17(8),589. |
MLA | 王圩."MBE生长面发射激光器的原位厚度监测".半导体学报 17.8(1996):589. |
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