MBE生长面发射激光器的原位厚度监测

	MBE生长面发射激光器的原位厚度监测
	王圩
刊名	半导体学报
	1996
卷号	17 期号:8 页码:589
中文摘要	在MBE生长"DBR型结构性材料"的过程中,由于生长中的多层结构干涉效应,使高温黑体辐射谱呈现振荡现象,利用此现象辅以计算机数据拟合,可以实现MBE生长中层次、组分和厚度的实时监控,对MBE系统生长垂直腔型结构材料的实时质量监控有重要意义.利用红外高温仪对VCSEL器件生长全过程(包括谐振腔)及多种组分DBR的表观衬底热辐射振荡进行监测,采用准黑体模型,结合扫描电镜、光反射谱等结果进行了分析,理论与实验得到了较好的吻合.
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19637]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王圩. MBE生长面发射激光器的原位厚度监测[J]. 半导体学报,1996,17(8):589.
APA	王圩.(1996).MBE生长面发射激光器的原位厚度监测.半导体学报,17(8),589.
MLA	王圩."MBE生长面发射激光器的原位厚度监测".半导体学报 17.8(1996):589.