缺陷俘获势垒测定新方法-瞬态光霍耳谱

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	缺陷俘获势垒测定新方法-瞬态光霍耳谱
	王海龙
刊名	红外与毫米波学报
	1996
卷号	15 期号:1 页码:1
中文摘要	以瞬态光霍尔测量为基础,建立了观测俘获过程的深中心分析测试新手段.该方法不需要做肖特基结、p-n结、或MIS结构,几乎可在零电场下测量缺陷参数,克服电场、德拜带尾、非指数瞬态等对缺陷特性的影响,也克服了深能级瞬态谱技术(DLTS)只能通过载流子发射过程间接测量俘获参数的缺点.用此方法测量了Ga_(0.7)Al_(0.3)As中DX中心的俘获势垒.
英文摘要	以瞬态光霍尔测量为基础,建立了观测俘获过程的深中心分析测试新手段.该方法不需要做肖特基结、p-n结、或MIS结构,几乎可在零电场下测量缺陷参数,克服电场、德拜带尾、非指数瞬态等对缺陷特性的影响,也克服了深能级瞬态谱技术(DLTS)只能通过载流子发射过程间接测量俘获参数的缺点.用此方法测量了Ga_(0.7)Al_(0.3)As中DX中心的俘获势垒.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:13:29导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5911.pdf: 256415 bytes, checksum: 379cee1a9e620428de8ead464d60231e (MD5) Previous issue date: 1996; 国家自然科学基金; 中科院半导体所;曲阜师范大学物理系;北京师范大学物理系
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19625]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王海龙. 缺陷俘获势垒测定新方法-瞬态光霍耳谱[J]. 红外与毫米波学报,1996,15(1):1.
APA	王海龙.(1996).缺陷俘获势垒测定新方法-瞬态光霍耳谱.红外与毫米波学报,15(1),1.
MLA	王海龙."缺陷俘获势垒测定新方法-瞬态光霍耳谱".红外与毫米波学报 15.1(1996):1.