GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器

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	GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器
	江德生
刊名	半导体学报
	1996
卷号	17 期号:2 页码:151
中文摘要	报道GaAs/GaAlAs中红外(3～5μm)量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能。GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器是光伏型,探测峰值波长为5.3μm,85K下的500K黑体探测率为3.0×10~9cm·Hz~(1/2)/W,峰值探测率达到5×10~(11)cm·Hz~(1/2)/W,阻抗为50MΩ。GaAs/GaAlAs双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件,在零偏压下该探测器仅在3～5μm波段有响应,响应峰值波长为5.3μm,85K温度下550K黑体探测率为3.0×10~9cm·Hz~(1/2)/W,当偏压为2V时,该探测器的响应切换到8～12μm波段,峰值响应波长为9.0μm,85K温度下的黑体探测率为1.0×10~9cm·Hz~(1/2)/W。
英文摘要	报道GaAs/GaAlAs中红外(3～5μm)量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能。GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器是光伏型,探测峰值波长为5.3μm,85K下的500K黑体探测率为3.0×10~9cm·Hz~(1/2)/W,峰值探测率达到5×10~(11)cm·Hz~(1/2)/W,阻抗为50MΩ。GaAs/GaAlAs双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件,在零偏压下该探测器仅在3～5μm波段有响应,响应峰值波长为5.3μm,85K温度下550K黑体探测率为3.0×10~9cm·Hz~(1/2)/W,当偏压为2V时,该探测器的响应切换到8～12μm波段,峰值响应波长为9.0μm,85K温度下的黑体探测率为1.0×10~9cm·Hz~(1/2)/W。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:13:21导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5889.pdf: 187519 bytes, checksum: 819828e70248e4b30dd372b1b2fa193e (MD5) Previous issue date: 1996; 单位基金,国家自然科学基金; 中科院半导体所;国家光电子工艺中心
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
资助信息	单位基金,国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19585]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	江德生. GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器[J]. 半导体学报,1996,17(2):151.
APA	江德生.(1996).GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器.半导体学报,17(2),151.
MLA	江德生."GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器".半导体学报 17.2(1996):151.