相变存储结构

	相变存储结构
	程国胜
	2014-09-03
专利国别	中国
专利号	203812919U
专利类型	实用新型
权利人	中国科学院
中文摘要	本申请公开了一种相变存储结构，包括：下电极层；形成于所述下电极层上的绝热层，所述绝热层的上开设有沟槽；相变材料层，覆盖于所述沟槽的内壁表面，且所述相变材料层围成一容纳空间；上电极，填充于所述容纳空间内；下加热电极，连接于所述下电极层和相变材料层的底部之间；侧加热电极，连接于所述相变材料层的外侧壁；顶电极，连接于所述侧加热电极。本实用新型的相变存储单元中，引入了侧加热电极，与传统具有单一的下加热电极相比，本实用新型能够有效提高器件的存储密度，满足相变存储器的应用需求。
公开日期	2014-11-27
申请日期	2014-04-02
专利申请号	201420155621.2
内容类型	专利
源URL	[http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/1555]
专题	苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米生物医学与安全研究部_程国胜团队
推荐引用方式 GB/T 7714	程国胜. 相变存储结构. 203812919U. 2014-09-03.