GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究

	GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究
	牛智川
刊名	半导体学报
	1996
卷号	17 期号:3 页码:227
中文摘要	报道了非平面衬底上分子束外延生长GaAs脊形量子线结构的实验研究。已成功地在GaAs(001)刻蚀条形衬底上生长出了由(111)面和(113)面构成的两种脊形量子线结构。讨论了非平面衬底上MBE生长脊形结构的形成机制,认为在一定的生长条件下,脊形结构的表面取向是由两个原始交界面上生长速率的相对差异决定的;而生长速率的差异是由表面再构的不同决定的。
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19571]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	牛智川. GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究[J]. 半导体学报,1996,17(3):227.
APA	牛智川.(1996).GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究.半导体学报,17(3),227.
MLA	牛智川."GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究".半导体学报 17.3(1996):227.