纳米硅薄膜中的量子点特征

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	纳米硅薄膜中的量子点特征
	刘剑
刊名	自然科学进展
	1996
卷号	6 期号:6 页码:700
中文摘要	从电性和结构上论证了纳米硅薄膜中的细微晶粒(3～6nm)具有量子点(Q.D)特征.在其电导曲线中呈现出随晶粒尺寸减小而增大的小尺寸效应.使用薄层(～20nm厚)纳米硅膜制成了隧道二极管,已在液氮温区(≈77K)在其I-V及σ-V曲线上呈现出Coulomb台阶.对实验结果做了初步分析讨论.
英文摘要	从电性和结构上论证了纳米硅薄膜中的细微晶粒(3～6nm)具有量子点(Q.D)特征.在其电导曲线中呈现出随晶粒尺寸减小而增大的小尺寸效应.使用薄层(～20nm厚)纳米硅膜制成了隧道二极管,已在液氮温区(≈77K)在其I-V及σ-V曲线上呈现出Coulomb台阶.对实验结果做了初步分析讨论.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:13:03导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5858.pdf: 402944 bytes, checksum: 3e340ae50e9758b45de3e60db799d0c3 (MD5) Previous issue date: 1996; 国家自然科学基金,国家重点、开放实验室基金; 北京航空航天大学非晶态物理与光信息研究室;中科院半导体所;北京大学无线电电子系
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金,国家重点、开放实验室基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19529]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	刘剑. 纳米硅薄膜中的量子点特征[J]. 自然科学进展,1996,6(6):700.
APA	刘剑.(1996).纳米硅薄膜中的量子点特征.自然科学进展,6(6),700.
MLA	刘剑."纳米硅薄膜中的量子点特征".自然科学进展 6.6(1996):700.