双面生长高效宽谱吸收多结太阳电池的制备方法

	双面生长高效宽谱吸收多结太阳电池的制备方法
	张瑞英; 董建荣; 杨辉
	2015-03-04
专利号	CN102723405B
专利类型	发明
权利人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日期	2012-06-26
专利申请号	2147483647
内容类型	专利
源URL	[http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/3156]
专题	苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_董建荣团队
作者单位	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张瑞英,董建荣,杨辉. 双面生长高效宽谱吸收多结太阳电池的制备方法. CN102723405B. 2015-03-04.