三结级联太阳能电池及其制备方法 | |
于淑珍![]() ![]() ![]() ![]() | |
2016-09-07 | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN103311353B |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
中文摘要 | 本发明提供一种三结级联太阳能电池包括GaAs或Ge的衬底,以及在所述衬底上依次设置的第一渐变过渡层、InGaAs子电池、第二渐变过渡层、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、GaInP子电池和GaAs接触层。本发明还提供一种如上述的三结级联太阳能电池的制备方法,步骤为在衬底上依次生长第一渐变过渡层、InGaAs子电池、第二渐变过渡层、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、GaInP子电池和GaAs接触层。 |
公开日期 | 2014-11-27 |
申请日期 | 2013-05-29 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | 201310207650.9 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/1588] ![]() |
专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_董建荣团队 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 于淑珍,董建荣,李奎龙,等. 三结级联太阳能电池及其制备方法. CN103311353B. 2016-09-07. |
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