三结级联太阳能电池及其制备方法

	三结级联太阳能电池及其制备方法
	于淑珍; 董建荣; 李奎龙; 孙玉润; 曾徐路; 赵勇明; 赵春雨; 杨辉
	2016-09-07
专利国别	中国
专利号	CN103311353B
专利类型	发明
权利人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中文摘要	本发明提供一种三结级联太阳能电池包括GaAs或Ge的衬底，以及在所述衬底上依次设置的第一渐变过渡层、InGaAs子电池、第二渐变过渡层、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、GaInP子电池和GaAs接触层。本发明还提供一种如上述的三结级联太阳能电池的制备方法，步骤为在衬底上依次生长第一渐变过渡层、InGaAs子电池、第二渐变过渡层、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、GaInP子电池和GaAs接触层。
公开日期	2014-11-27
申请日期	2013-05-29
语种	中文
专利申请号	201310207650.9
内容类型	专利
源URL	[http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/1588]
专题	苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_董建荣团队
推荐引用方式 GB/T 7714	于淑珍,董建荣,李奎龙,等. 三结级联太阳能电池及其制备方法. CN103311353B. 2016-09-07.