提高Si基材料高效率发光途径的探索

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	提高Si基材料高效率发光途径的探索
	王启明
刊名	物理学进展
	1996
卷号	16 期号:1 页码:75
中文摘要	近来人们对发展硅基光电子学作出了很大的努力.众所周知,如同晶体管是微电子学的核心器件一样,发光器件将是光电子学的关键部件.然而由于硅属间接带隙材料,发光效率比直接带隙的GaAs等化合物材料低三个多量级,因此如何在硅基材料系实现高效率发光,已成为发展硅基光电子学的重要课题,它吸收着国际上众多科学、工程家们的巨大兴趣.能带工程的应用可能将提供一条有望的途径.总结评述了近几年来在SiGe量子阱能带工程,Er~(3+)离子注入发光中心掺杂工程、直接带隙β-FeSi_2材料工程以及热电子跃迁发光带内子能级工程中所取得的重要进展.同时对其未来的发展提出了若干设想与展望.
英文摘要	近来人们对发展硅基光电子学作出了很大的努力.众所周知,如同晶体管是微电子学的核心器件一样,发光器件将是光电子学的关键部件.然而由于硅属间接带隙材料,发光效率比直接带隙的GaAs等化合物材料低三个多量级,因此如何在硅基材料系实现高效率发光,已成为发展硅基光电子学的重要课题,它吸收着国际上众多科学、工程家们的巨大兴趣.能带工程的应用可能将提供一条有望的途径.总结评述了近几年来在SiGe量子阱能带工程,Er~(3+)离子注入发光中心掺杂工程、直接带隙β-FeSi_2材料工程以及热电子跃迁发光带内子能级工程中所取得的重要进展.同时对其未来的发展提出了若干设想与展望.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:13:01导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5853.pdf: 600854 bytes, checksum: 56621e75d2fb532975be68123d3a6b60 (MD5) Previous issue date: 1996; 中科院半导体所
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19519]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王启明. 提高Si基材料高效率发光途径的探索[J]. 物理学进展,1996,16(1):75.
APA	王启明.(1996).提高Si基材料高效率发光途径的探索.物理学进展,16(1),75.
MLA	王启明."提高Si基材料高效率发光途径的探索".物理学进展 16.1(1996):75.