刻蚀腔InGaAsP/InP双异质结激光器的制作与特性

	刻蚀腔InGaAsP/InP双异质结激光器的制作与特性
	颜学进 ; 张权生 ; 石志文 ; 杜云 ; 祝亚芹 ; 罗丽萍 ; 朱家廉 ; 吴荣汉 ; 王启明
刊名	半导体学报
	1997
卷号	18 期号:11 页码:836
英文摘要	于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:59导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5839.pdf: 95454 bytes, checksum: fa8809ae0d2c5d6204dea638f0990648 (MD5) Previous issue date: 1997; 国家自然科学基金,集成光电子学联合国家重点实验室基金; 中科院半导体所
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金,集成光电子学联合国家重点实验室基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19501]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	颜学进,张权生,石志文,等. 刻蚀腔InGaAsP/InP双异质结激光器的制作与特性[J]. 半导体学报,1997,18(11):836.
APA	颜学进.,张权生.,石志文.,杜云.,祝亚芹.,...&王启明.(1997).刻蚀腔InGaAsP/InP双异质结激光器的制作与特性.半导体学报,18(11),836.
MLA	颜学进,et al."刻蚀腔InGaAsP/InP双异质结激光器的制作与特性".半导体学报 18.11(1997):836.