含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作

	含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作
	杨辉; 董建荣
刊名	科学通报
	2011-01-15
期号	2
关键词	纳米阵列结构 InGaN/GaN双异质结太阳能电池外量子效率
中文摘要	提出了一种提高p-GaN/i-InGaN/n-GaN双异质结太阳能电池外量子效率的方法,即将p-GaN刻蚀成纳米阵列结构.我们使用Ni退火形成微结构掩模,通过感应耦合等离子体(ICP)将p-GaN刻蚀纳米阵列结构.同时,提出了两步刻蚀n-GaN台面的制作工艺,以此在形成p-GaN纳米阵列结构时获得光滑的n-GaN层表面,以此改善后续金属电极的沉积.经测试,含有p-GaN纳米阵列结构的电池峰值外量子效率可达55%,比常规p-GaN膜层基InGaN/GaN太阳能电池的外量子效率提高了10%.
语种	中文
公开日期	2012-09-11
内容类型	期刊论文
源URL	[http://58.210.77.100/handle/332007/746]
专题	苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_SONY团队
推荐引用方式 GB/T 7714	杨辉,董建荣. 含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作[J]. 科学通报,2011(2).
APA	杨辉,&董建荣.(2011).含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作.科学通报(2).
MLA	杨辉,et al."含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作".科学通报 .2(2011).