（113）B-GaAs/As（0.3）Ga（0.7）As单量子阱结构的光致发光谱研究

	（113）B-GaAs/As（0.3）Ga（0.7）As单量子阱结构的光致发光谱研究
	张广泽
刊名	半导体学报
	1997
卷号	18 期号:11 页码:832
英文摘要	于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:57导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5835.pdf: 98097 bytes, checksum: 7b05cff068ca378e031f28250a4d901b (MD5) Previous issue date: 1997; 国家自然科学基金; 中科院半导体所
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19493]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	张广泽. （113）B-GaAs/As（0.3）Ga（0.7）As单量子阱结构的光致发光谱研究[J]. 半导体学报,1997,18(11):832.
APA	张广泽.(1997).（113）B-GaAs/As（0.3）Ga（0.7）As单量子阱结构的光致发光谱研究.半导体学报,18(11),832.
MLA	张广泽."（113）B-GaAs/As（0.3）Ga（0.7）As单量子阱结构的光致发光谱研究".半导体学报 18.11(1997):832.