借助硅片减薄重掺硅间隙氧含量低温（10K）红外测量

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	借助硅片减薄重掺硅间隙氧含量低温（10K）红外测量
	王俊; 王俊
刊名	半导体学报
	1997
卷号	18 期号:8 页码:587
中文摘要	报道了一种新颖的重掺硅中间隙氧含量测量技术，通过硅片减薄并采用低温红外透射测量，明显降低了重掺硅自由载流子吸收的严重干扰，提高了红外吸收峰信噪比，在1136cm~(-1)附近得到了明显的Si-O键红外吸收峰，从而可以准确地测量重掺硅间隙氧含量。实验结果表明
英文摘要	报道了一种新颖的重掺硅中间隙氧含量测量技术，通过硅片减薄并采用低温红外透射测量，明显降低了重掺硅自由载流子吸收的严重干扰，提高了红外吸收峰信噪比，在1136cm~(-1)附近得到了明显的Si-O键红外吸收峰，从而可以准确地测量重掺硅间隙氧含量。实验结果表明; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:55导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5828.pdf: 204746 bytes, checksum: fc09d1ca1ac14e53c1bb45250cac3572 (MD5) Previous issue date: 1997; 中科院半导体所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19479]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王俊,王俊. 借助硅片减薄重掺硅间隙氧含量低温（10K）红外测量[J]. 半导体学报,1997,18(8):587.
APA	王俊,&王俊.(1997).借助硅片减薄重掺硅间隙氧含量低温（10K）红外测量.半导体学报,18(8),587.
MLA	王俊,et al."借助硅片减薄重掺硅间隙氧含量低温（10K）红外测量".半导体学报 18.8(1997):587.