半导体微腔物理及其应用

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	半导体微腔物理及其应用
	郑厚植
刊名	半导体学报
	1997
卷号	18 期号:7 页码:481
中文摘要	半导体微物理是半导体低维结构物理与量子光学的交叉前沿领域。该文就半导体微腔中自发辐射增强效应，腔极化激元与Rabi分裂，腔极化激元的色散关系，稳态与瞬态的光学性质，三维受限微腔激光器特性等作一概要介绍，力图重点地从物理角度来阐明这些物理现象。
英文摘要	半导体微物理是半导体低维结构物理与量子光学的交叉前沿领域。该文就半导体微腔中自发辐射增强效应，腔极化激元与Rabi分裂，腔极化激元的色散关系，稳态与瞬态的光学性质，三维受限微腔激光器特性等作一概要介绍，力图重点地从物理角度来阐明这些物理现象。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:51导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5816.pdf: 492104 bytes, checksum: 0ab78693145f0263dfec6c05473583b7 (MD5) Previous issue date: 1997; 中科院半导体所
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19455]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	郑厚植. 半导体微腔物理及其应用[J]. 半导体学报,1997,18(7):481.
APA	郑厚植.(1997).半导体微腔物理及其应用.半导体学报,18(7),481.
MLA	郑厚植."半导体微腔物理及其应用".半导体学报 18.7(1997):481.