γ-Al_2O_3/Si(100)薄膜高真空MOCVD异质外延生长

	γ-Al_2O_3/Si(100)薄膜高真空MOCVD异质外延生长
	昝育德 ; 王俊 ; 韩秀峰 ; 王玉田 ; 王维民 ; 王占国 ; 林兰英
刊名	半导体学报
	1998
卷号	19 期号:12 页码:886
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家计委八五计划,国家计委九五计划
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19271]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	昝育德,王俊,韩秀峰,等. γ-Al_2O_3/Si(100)薄膜高真空MOCVD异质外延生长[J]. 半导体学报,1998,19(12):886.
APA	昝育德.,王俊.,韩秀峰.,王玉田.,王维民.,...&林兰英.(1998).γ-Al_2O_3/Si(100)薄膜高真空MOCVD异质外延生长.半导体学报,19(12),886.
MLA	昝育德,et al."γ-Al_2O_3/Si(100)薄膜高真空MOCVD异质外延生长".半导体学报 19.12(1998):886.