GSMBE GaN 膜的电子输运性质研究 | |
王晓亮 ; 孙殿照 ; 孔梅影 ; 张剑平 ; 曾一平 ; 李晋闽 ; 林兰英 | |
刊名 | 半导体学报 |
1998 | |
卷号 | 19期号:12页码:890 |
中文摘要 | 用NH_3作氮源的GSMBE方法在晶向为(0001)的α-Al_2O_3衬底上生长非有意掺杂的单晶GaN外延膜,GaN膜呈N型导电,室温时的最高迁移率约为120cm~2/(V·s),相应的非有意掺杂电子浓度为9.1×10~(17)cm~(-3)。对一些GaN膜进行了变温Hall测试,通过电阻率、背景电子浓度以及Hall迁移随温度的变化研究了GaN外延膜的导电机理。结果表明,当温度较低时,以电子在施主中心之间的输运导电为主;当温度较高时,以导带中的自由电子导电为主。 |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家九五计划,中国博士后基金 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19269] |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓亮,孙殿照,孔梅影,等. GSMBE GaN 膜的电子输运性质研究[J]. 半导体学报,1998,19(12):890. |
APA | 王晓亮.,孙殿照.,孔梅影.,张剑平.,曾一平.,...&林兰英.(1998).GSMBE GaN 膜的电子输运性质研究.半导体学报,19(12),890. |
MLA | 王晓亮,et al."GSMBE GaN 膜的电子输运性质研究".半导体学报 19.12(1998):890. |
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