硅的位错核心结构无悬挂键

	硅的位错核心结构无悬挂键
	昝育德
刊名	半导体学报
	1998
卷号	19 期号:6 页码:406
中文摘要	应用物理学平衡状态下能量最低的基本原理,通过分析透射电镜晶格象,制作了90°、30°分位错及Cotterll位错等一系列的模型,说明硅中位错核心无悬挂键。
英文摘要	应用物理学平衡状态下能量最低的基本原理,通过分析透射电镜晶格象,制作了90°、30°分位错及Cotterll位错等一系列的模型,说明硅中位错核心无悬挂键。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:20导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5709.pdf: 391282 bytes, checksum: 923b9fd87f4194b31cda63c3813cd4e2 (MD5) Previous issue date: 1998; 中科院半导体所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19251]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	昝育德. 硅的位错核心结构无悬挂键[J]. 半导体学报,1998,19(6):406.
APA	昝育德.(1998).硅的位错核心结构无悬挂键.半导体学报,19(6),406.
MLA	昝育德."硅的位错核心结构无悬挂键".半导体学报 19.6(1998):406.