InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究

	InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究
	王红梅 ; 曾一平 ; 周宏伟 ; 董建荣 ; 潘栋 ; 潘量 ; 孔梅影
刊名	半导体学报
	1998
卷号	19 期号:6 页码:413
中文摘要	报道了利用InAs外延薄膜制作霍尔器件，通过分子束外延技术在GaAs衬底上生长的InAs薄膜具有较高的迁移率和较好的温度特性。用这种材料制作的霍尔器件在每千欧姆内阻条件下灵敏度与GaAs平面Hall器件相比提高了50%。
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19249]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王红梅,曾一平,周宏伟,等. InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究[J]. 半导体学报,1998,19(6):413.
APA	王红梅.,曾一平.,周宏伟.,董建荣.,潘栋.,...&孔梅影.(1998).InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究.半导体学报,19(6),413.
MLA	王红梅,et al."InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究".半导体学报 19.6(1998):413.