气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究
	刘学锋 ; 刘金平 ; 李建平 ; 孙殿照 ; 孔梅影 ; 林兰英
刊名	半导体学报
	1998
卷号	19 期号:5 页码:389
中文摘要	用气态源分子束外延(GSMBE)法研究了Ge_xSi_(1-x)合金的低温(≤500℃)生长动力学问题，所使用的源分别是乙硅烷和固态锗。在恒定的乙硅烷流量(4sccm)Ge源炉温度(1200℃)下，合金中的Ge组分x随衬底温度的降低而升高；另一方面，当衬底温度(500℃)和乙硅烷流度升高到一定值以上时，x值不再随Ge源炉温度的升高而增大,而趋向于饱和在0.45附近。基于乙硅烷及H原子在Si原子和Ge原子表面上不同的吸附和脱附过程，定性地解释了上述生长动力学现象。
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家八五计划
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19239]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	刘学锋,刘金平,李建平,等. 气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究[J]. 半导体学报,1998,19(5):389.
APA	刘学锋,刘金平,李建平,孙殿照,孔梅影,&林兰英.(1998).气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究.半导体学报,19(5),389.
MLA	刘学锋,et al."气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究".半导体学报 19.5(1998):389.