三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化

	三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化
	牛智川; 韩勤
刊名	半导体学报
	1998
卷号	19 期号:4 页码:311
中文摘要	报道了在腐蚀图形的(311)A衬底上,一种新型三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化研究.原子力显微镜三维图象清晰地显示出在原腐蚀凹面图形之间的平面区域,MBE选择性生长形成了均匀的三角形收缩结构,其尖角沿[2-33]方向,收缩面由对称的{111}A面构成。低温阴极荧光谱和图象测试研究结果表明
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19235]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	牛智川,韩勤. 三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化[J]. 半导体学报,1998,19(4):311.
APA	牛智川,&韩勤.(1998).三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化.半导体学报,19(4),311.
MLA	牛智川,et al."三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化".半导体学报 19.4(1998):311.