GS-MBE生长的GaP/Si的XPS研究 | |
成步文![]() | |
刊名 | 发光学报
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1998 | |
卷号 | 19期号:2页码:109 |
中文摘要 | 利用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对气体源分子束外延(GS-MBE)生长的GaP/Si异质结构进行了详细的分析。其结果表明 |
学科主题 | 光电子学 |
收录类别 | CSCD |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19179] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 成步文. GS-MBE生长的GaP/Si的XPS研究[J]. 发光学报,1998,19(2):109. |
APA | 成步文.(1998).GS-MBE生长的GaP/Si的XPS研究.发光学报,19(2),109. |
MLA | 成步文."GS-MBE生长的GaP/Si的XPS研究".发光学报 19.2(1998):109. |
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