GS-MBE生长的GaP/Si的XPS研究

	GS-MBE生长的GaP/Si的XPS研究
	成步文
刊名	发光学报
	1998
卷号	19 期号:2 页码:109
中文摘要	利用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对气体源分子束外延(GS-MBE)生长的GaP/Si异质结构进行了详细的分析。其结果表明
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19179]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	成步文. GS-MBE生长的GaP/Si的XPS研究[J]. 发光学报,1998,19(2):109.
APA	成步文.(1998).GS-MBE生长的GaP/Si的XPS研究.发光学报,19(2),109.
MLA	成步文."GS-MBE生长的GaP/Si的XPS研究".发光学报 19.2(1998):109.