GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性

	GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性
	刘剑
刊名	发光学报
	1998
卷号	19 期号:3 页码:202
中文摘要	采用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺，将GaAs/AlGaAs量子阱外延材料制成量子点阵，其光荧光谱显示出蓝移，并且蓝移量随着量子点直径尺寸的减少而增大。
英文摘要	采用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺，将GaAs/AlGaAs量子阱外延材料制成量子点阵，其光荧光谱显示出蓝移，并且蓝移量随着量子点直径尺寸的减少而增大。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:00导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5672.pdf: 301762 bytes, checksum: afeb25bc73d6ee654e456ac4cc331ac5 (MD5) Previous issue date: 1998; 中科院半导体所
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19177]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	刘剑. GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性[J]. 发光学报,1998,19(3):202.
APA	刘剑.(1998).GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性.发光学报,19(3),202.
MLA	刘剑."GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性".发光学报 19.3(1998):202.