紫外写入光纤光栅用亚μm相位掩模板制作误差容限分析

	紫外写入光纤光栅用亚μm相位掩模板制作误差容限分析
	陈少武
刊名	光电子·激光
	1998
卷号	9 期号:6 页码:469
中文摘要	采用电磁波标量衍射理论研究了紫外写入光纤光栅用亚μm相位掩模的近场衍射特性,并据此得出了零级衍射抑制的条件,采用数值模拟方法研究了相位掩模制作误差对零级衍射抑制的影响。分析表明, 为使零级衍射效率小于5％,相位掩模的刻槽深度和占空比制作误差必须控制在Δh〈38 nm和Δf<0.11的范围内。
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19159]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈少武. 紫外写入光纤光栅用亚μm相位掩模板制作误差容限分析[J]. 光电子·激光,1998,9(6):469.
APA	陈少武.(1998).紫外写入光纤光栅用亚μm相位掩模板制作误差容限分析.光电子·激光,9(6),469.
MLA	陈少武."紫外写入光纤光栅用亚μm相位掩模板制作误差容限分析".光电子·激光 9.6(1998):469.