RTCVD工艺制备poly-Si薄膜太阳电池的研究

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	RTCVD工艺制备poly-Si薄膜太阳电池的研究
	赵玉文 ; 李仲明 ; 何少琪 ; 王文静 ; 寥显伯 ; 盛殊然 ; 邓礼生 ; 潘广勤
刊名	太阳能学报
	1998
卷号	19 期号:2 页码:152
中文摘要	报道了快速热化学气相沉积(RTCVD)工艺制备多晶硅(poly -Si)薄膜及电池的实验和结果。采用SiH_2Co_2作为原料气体，衬底温度为1030℃时，薄膜的生长速率为10nm/s。发现薄膜的平均晶粒度及载流子迁移率与衬底温度和材料有关。用该薄膜在未抛光重掺杂磷的硅衬底上制备1cm~2的p~+n结样品电池，无减反射涂层，其转换效率为4.54%(AM1.5,100mW/cm~2,25℃)。
英文摘要	报道了快速热化学气相沉积(RTCVD)工艺制备多晶硅(poly -Si)薄膜及电池的实验和结果。采用SiH_2Co_2作为原料气体，衬底温度为1030℃时，薄膜的生长速率为10nm/s。发现薄膜的平均晶粒度及载流子迁移率与衬底温度和材料有关。用该薄膜在未抛光重掺杂磷的硅衬底上制备1cm~2的p~+n结样品电池，无减反射涂层，其转换效率为4.54%(AM1.5,100mW/cm~2,25℃)。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:49导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5648.pdf: 343115 bytes, checksum: 651b72ddba4fd72e1affc17d1d6952aa (MD5) Previous issue date: 1998; 北京市太阳能所;中科院半导体所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19129]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	赵玉文,李仲明,何少琪,等. RTCVD工艺制备poly-Si薄膜太阳电池的研究[J]. 太阳能学报,1998,19(2):152.
APA	赵玉文.,李仲明.,何少琪.,王文静.,寥显伯.,...&潘广勤.(1998).RTCVD工艺制备poly-Si薄膜太阳电池的研究.太阳能学报,19(2),152.
MLA	赵玉文,et al."RTCVD工艺制备poly-Si薄膜太阳电池的研究".太阳能学报 19.2(1998):152.