1.3μm低阈值InGaAsP/InP应变补偿MQW激光器的LP-MOCVD生长

	1.3μm低阈值InGaAsP/InP应变补偿MQW激光器的LP-MOCVD生长
	王圩
刊名	中国激光
	1998
卷号	25 期号:9 页码:785
中文摘要	报道了用低压金属有机物化学气相淀积(LP-MOCVD)方法外延生长InGaAsP/InP应变补偿多量子阱结构。用此材料制备的掩埋异质结(BH)条形结构多量子阱激光器具有极低阈值电流4～6mA。20～40℃时特征温度T_0高达67K，室温下外量子效率为0.3mW/mA。
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19083]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王圩. 1.3μm低阈值InGaAsP/InP应变补偿MQW激光器的LP-MOCVD生长[J]. 中国激光,1998,25(9):785.
APA	王圩.(1998).1.3μm低阈值InGaAsP/InP应变补偿MQW激光器的LP-MOCVD生长.中国激光,25(9),785.
MLA	王圩."1.3μm低阈值InGaAsP/InP应变补偿MQW激光器的LP-MOCVD生长".中国激光 25.9(1998):785.