Al_2O_3/Si(001)衬底上GaN外延薄膜的制备

	Al_2O_3/Si(001)衬底上GaN外延薄膜的制备
	汪连山 ; 刘祥林 ; 昝育德 ; 汪度 ; 王俊 ; 陆大成 ; 王占国
刊名	中国科学. E辑，技术科学
	1998
卷号	28 期号:1 页码:32
英文摘要	于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:36导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5617.pdf: 215939 bytes, checksum: 5287859692b3af3794a9f0213b7a8ff0 (MD5) Previous issue date: 1998; 国家863计划,国家八五计划; 中科院半导体所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家863计划,国家八五计划
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19067]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	汪连山,刘祥林,昝育德,等. Al_2O_3/Si(001)衬底上GaN外延薄膜的制备[J]. 中国科学. E辑，技术科学,1998,28(1):32.
APA	汪连山.,刘祥林.,昝育德.,汪度.,王俊.,...&王占国.(1998).Al_2O_3/Si(001)衬底上GaN外延薄膜的制备.中国科学. E辑，技术科学,28(1),32.
MLA	汪连山,et al."Al_2O_3/Si(001)衬底上GaN外延薄膜的制备".中国科学. E辑，技术科学 28.1(1998):32.