氢化非晶氧化硅薄膜光致发光起源的探讨

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	氢化非晶氧化硅薄膜光致发光起源的探讨
	马智训 ; 廖显伯 ; 何杰 ; 程文超 ; 岳国珍 ; 王永谦 ; 刁宏伟 ; 孔光临
刊名	半导体学报
	1999
卷号	20 期号:2 页码:162
中文摘要	研究了不同氧含量的a-SiO_x:H薄膜的室温光致发光，发现每一个样品的发光谱均由两个Gaussian分谱组成。一个是峰位随氧含量蓝移的宽的主峰；另一个是峰位固定在大约835nm的伴峰。结合对IR谱和微区Raman谱的分析，认为主峰可能与膜中的a-Si颗粒有关，而伴峰与Si过剩或氧欠缺引起的缺陷有关。
英文摘要	研究了不同氧含量的a-SiO_x:H薄膜的室温光致发光，发现每一个样品的发光谱均由两个Gaussian分谱组成。一个是峰位随氧含量蓝移的宽的主峰；另一个是峰位固定在大约835nm的伴峰。结合对IR谱和微区Raman谱的分析，认为主峰可能与膜中的a-Si颗粒有关，而伴峰与Si过剩或氧欠缺引起的缺陷有关。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:33导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5609.pdf: 286819 bytes, checksum: c0d183f59972e60bce30bf33f2cc352f (MD5) Previous issue date: 1999; 国家自然科学基金; 中科院半导体所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19051]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	马智训,廖显伯,何杰,等. 氢化非晶氧化硅薄膜光致发光起源的探讨[J]. 半导体学报,1999,20(2):162.
APA	马智训.,廖显伯.,何杰.,程文超.,岳国珍.,...&孔光临.(1999).氢化非晶氧化硅薄膜光致发光起源的探讨.半导体学报,20(2),162.
MLA	马智训,et al."氢化非晶氧化硅薄膜光致发光起源的探讨".半导体学报 20.2(1999):162.