AlAs选择性湿氮氧化的工艺条件对氧化速率的影响

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	AlAs选择性湿氮氧化的工艺条件对氧化速率的影响
	张益 ; 潘钟 ; 杜云 ; 黄永箴 ; 吴荣汉
刊名	半导体学报
	1999
卷号	20 期号:3 页码:260
中文摘要	结合垂直腔面发射激光器的制备，详细研究了AlAs选择性湿氮氧化工艺中氧化炉温、氮气流量、水温等条件和AlAs薄层的横向氧化速率之间的关系及其对氧化结果的影响，给出了合理的定性解释，并得到了可精确控制氧化过程及其均匀性的工艺条件。在优化的工艺条件下运用湿氮氧化制备出低阈值的InGaAs垂直腔面发射激光器。
英文摘要	结合垂直腔面发射激光器的制备，详细研究了AlAs选择性湿氮氧化工艺中氧化炉温、氮气流量、水温等条件和AlAs薄层的横向氧化速率之间的关系及其对氧化结果的影响，给出了合理的定性解释，并得到了可精确控制氧化过程及其均匀性的工艺条件。在优化的工艺条件下运用湿氮氧化制备出低阈值的InGaAs垂直腔面发射激光器。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:19导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5526.pdf: 210019 bytes, checksum: 2549da0a3d9e34b50c4acb5421ca94cc (MD5) Previous issue date: 1999; 国家自然科学基金; 中科院半导体所国家光电子工艺中心
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18957]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	张益,潘钟,杜云,等. AlAs选择性湿氮氧化的工艺条件对氧化速率的影响[J]. 半导体学报,1999,20(3):260.
APA	张益,潘钟,杜云,黄永箴,&吴荣汉.(1999).AlAs选择性湿氮氧化的工艺条件对氧化速率的影响.半导体学报,20(3),260.
MLA	张益,et al."AlAs选择性湿氮氧化的工艺条件对氧化速率的影响".半导体学报 20.3(1999):260.