Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片的增强氧沉淀

	Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片的增强氧沉淀
	王俊; 王俊
刊名	半导体学报
	1999
卷号	20 期号:6 页码:458
中文摘要	该文报道了一种改进本征吸杂技术－－低温短时热退火工艺，以增强本征吸杂效果，在本征吸杂工艺的低温热退火中，用连续的线性缓慢升温(Ramping)退火替代常规的长时间低温恒温退火，应用于直拉(CZ)重掺N型硅衬底片，明显增加了氧沉淀等体微缺陷密度，这些高密度氧沉淀物在随后IC器件工艺中继续长大，成为稳定的高效本征吸杂中心。从经典的成核沉淀理论,讨论了Ramping热退火重掺硅衬底片增强氧沉淀机理。
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18925]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王俊,王俊. Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片的增强氧沉淀[J]. 半导体学报,1999,20(6):458.
APA	王俊,&王俊.(1999).Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片的增强氧沉淀.半导体学报,20(6),458.
MLA	王俊,et al."Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片的增强氧沉淀".半导体学报 20.6(1999):458.