CdF_2半导体膜中电子-表面声子强耦合对极化子性质的影响

	CdF_2半导体膜中电子-表面声子强耦合对极化子性质的影响
	额尔敦朝鲁 ; 肖景林 ; 李树深
刊名	半导体学报
	2000
卷号	21 期号:3 页码:225
中文摘要	采用改进的Huybrechts线性组合算符和变分方法，研究了半导体膜内电子与表面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合对极化子性质影响，得到了极化子的有效质量和自陷能随膜厚的变化规律。对CdF_2半导体，计算了不同支声子与电子的相互作用对极化子有效质量和自陷能的贡献。
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
资助信息	中科院激发态物理开放实验室基金,国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18819]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	额尔敦朝鲁,肖景林,李树深. CdF_2半导体膜中电子-表面声子强耦合对极化子性质的影响[J]. 半导体学报,2000,21(3):225.
APA	额尔敦朝鲁,肖景林,&李树深.(2000).CdF_2半导体膜中电子-表面声子强耦合对极化子性质的影响.半导体学报,21(3),225.
MLA	额尔敦朝鲁,et al."CdF_2半导体膜中电子-表面声子强耦合对极化子性质的影响".半导体学报 21.3(2000):225.