UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料
	王玉田; 成步文
刊名	半导体学报
	2000
卷号	21 期号:3 页码:250
中文摘要	以Si_2H_6和GeH_4作为源气体，用UHV/CVD方法在Si(100)衬底上生长了Si_(1-x)Ge_x合金材料和Si_(1-x)Ge_x/Si多量子阱结构。用原子力显微镜、X光双晶衍射和透射电子显微镜对样品的表面形貌、均匀性、晶格质量、界面质量等进行了研究。结果表明样品的表面平整光滑，平均粗糙度为1.2nm；整个外延片各处的晶体质量都比较好，各处生长速率平均偏差3.31%，合金组分x值的平均偏差为2.01%;Si_(1-x)Ge_x/Si多量子阱材料的X光双晶衍射曲线中不仅存在多级卫星峰，而且在卫星峰之间观察到了Pendellosung条纹，表明晶格质量和界面质量都很好；Si_(1-x)Ge_x/Si多量子阱材料的TEM照片中观察不到位错的存在。
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金,国家863计划
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18815]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王玉田,成步文. UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料[J]. 半导体学报,2000,21(3):250.
APA	王玉田,&成步文.(2000).UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料.半导体学报,21(3),250.
MLA	王玉田,et al."UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料".半导体学报 21.3(2000):250.