用于先进 CMOS电路的 150 mm硅外延片外延生长(英文)

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	用于先进 CMOS电路的 150 mm硅外延片外延生长(英文)
	王启元 ; 蔡田海 ; 郁元桓 ; 林兰英
刊名	半导体学报
	2000
卷号	21 期号:5 页码:426
中文摘要	随着大规模和超大规模集成电路特征尺寸向亚微米、深亚微米发展，下一代集成电路对硅片的表面晶体完整性和电学性能提出了更高的要求。与含有高密度晶体原生缺陷的硅抛光片相比，硅外延片一般能满足这些要求。该文报道了应用于先进集成电路的150mmP/P~+ CMOS硅外延片研究进展。在PE2061硅外延炉上进行了P/P~+硅外延生长。外延片特征参数，如外延层厚度、电阻率均匀性，过渡区宽度及少子产生寿命进行了详细表征。研究表明:150mm P/P~+CMOS硅外延片能够满足先进集成电路对材料更高要求。
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家九五计划
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18799]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王启元,蔡田海,郁元桓,等. 用于先进 CMOS电路的 150 mm硅外延片外延生长(英文)[J]. 半导体学报,2000,21(5):426.
APA	王启元,蔡田海,郁元桓,&林兰英.(2000).用于先进 CMOS电路的 150 mm硅外延片外延生长(英文).半导体学报,21(5),426.
MLA	王启元,et al."用于先进 CMOS电路的 150 mm硅外延片外延生长(英文)".半导体学报 21.5(2000):426.