InGaAs/GaAs多量子阱 SEED面阵结构特性与设计（英文）

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	InGaAs/GaAs多量子阱 SEED面阵结构特性与设计（英文）
	邓晖 ; 陈弘达 ; 梁琨 ; 杜云 ; 唐君 ; 黄永箴 ; 潘钟 ; 马晓宇 ; 吴荣汉 ; 王启明
刊名	半导体学报
	2001
卷号	22 期号:2 页码:113
中文摘要	讨论了谐振腔中的DBR对InGaAs/GaAs多量子阱SEED面阵光反射特性的影响。采用InGaAs/GaAs作为多量子阱SEED器件的有源区，从而获得了980nm工作波长。设计和分析了InGaAs/GaAs多量子阱SEED中的一种用于倒装焊的新型谐振腔结构。多量子阱材料是用MOCVD系统生长，利用微区光反射谱、PL谱以及X射线双晶衍射对多量子阱材料进行了测量和分析，测量结果表明多量子阱材料具有良好的质量，证明了器件结构的设计和分析是准确的。
英文摘要	讨论了谐振腔中的DBR对InGaAs/GaAs多量子阱SEED面阵光反射特性的影响。采用InGaAs/GaAs作为多量子阱SEED器件的有源区，从而获得了980nm工作波长。设计和分析了InGaAs/GaAs多量子阱SEED中的一种用于倒装焊的新型谐振腔结构。多量子阱材料是用MOCVD系统生长，利用微区光反射谱、PL谱以及X射线双晶衍射对多量子阱材料进行了测量和分析，测量结果表明多量子阱材料具有良好的质量，证明了器件结构的设计和分析是准确的。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:36导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5410.pdf: 227730 bytes, checksum: 316007676fdaba82b67005efaf546ccf (MD5) Previous issue date: 2001; 国家自然科学基金; 中科院半导体所
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18725]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	邓晖,陈弘达,梁琨,等. InGaAs/GaAs多量子阱 SEED面阵结构特性与设计（英文）[J]. 半导体学报,2001,22(2):113.
APA	邓晖.,陈弘达.,梁琨.,杜云.,唐君.,...&王启明.(2001).InGaAs/GaAs多量子阱 SEED面阵结构特性与设计（英文）.半导体学报,22(2),113.
MLA	邓晖,et al."InGaAs/GaAs多量子阱 SEED面阵结构特性与设计（英文）".半导体学报 22.2(2001):113.