分布布拉格反射器(DBR)对半导体微腔一些特性的影响
刘宝利 ; 王炳? ; 徐仲英
刊名半导体学报
2001
卷号22期号:3页码:335
中文摘要从光学传输矩阵方法出发,研究了分布布拉格反射器(DBR)生长顺序的不同对半导体平面微腔中电场振幅极大值位置及整个微腔选频特性的影响;同时指出了DBR对于λ_0/2和λ_0腔不同情况的最佳生长模式。
英文摘要从光学传输矩阵方法出发,研究了分布布拉格反射器(DBR)生长顺序的不同对半导体平面微腔中电场振幅极大值位置及整个微腔选频特性的影响;同时指出了DBR对于λ_0/2和λ_0腔不同情况的最佳生长模式。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:33导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5401.pdf: 218854 bytes, checksum: 1271b52551c5847538b2ae01a34f174e (MD5) Previous issue date: 2001; 国家自然科学基金; 中科院半导体所
学科主题半导体物理
收录类别CSCD
资助信息国家自然科学基金
语种中文
公开日期2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18707]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
刘宝利,王炳?,徐仲英. 分布布拉格反射器(DBR)对半导体微腔一些特性的影响[J]. 半导体学报,2001,22(3):335.
APA 刘宝利,王炳?,&徐仲英.(2001).分布布拉格反射器(DBR)对半导体微腔一些特性的影响.半导体学报,22(3),335.
MLA 刘宝利,et al."分布布拉格反射器(DBR)对半导体微腔一些特性的影响".半导体学报 22.3(2001):335.
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