N型6H-SiCMOS电容的电学特性 | |
王姝睿 ; 刘忠立 ; 梁桂荣 ; 梁秀芹 ; 马红芝 | |
刊名 | 半导体学报
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2001 | |
卷号 | 22期号:6页码:755-759 |
英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:28导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5384.pdf: 217096 bytes, checksum: aa0a5dc2f100b3e50c05c63825118034 (MD5) Previous issue date: 2001; 中科院半导体所 |
学科主题 | 微电子学 |
收录类别 | CSCD |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18673] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王姝睿,刘忠立,梁桂荣,等. N型6H-SiCMOS电容的电学特性[J]. 半导体学报,2001,22(6):755-759. |
APA | 王姝睿,刘忠立,梁桂荣,梁秀芹,&马红芝.(2001).N型6H-SiCMOS电容的电学特性.半导体学报,22(6),755-759. |
MLA | 王姝睿,et al."N型6H-SiCMOS电容的电学特性".半导体学报 22.6(2001):755-759. |
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