N型6H-SiCMOS电容的电学特性

	N型6H-SiCMOS电容的电学特性
	王姝睿 ; 刘忠立 ; 梁桂荣 ; 梁秀芹 ; 马红芝
刊名	半导体学报
	2001
卷号	22 期号:6 页码:755-759
英文摘要	于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:28导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5384.pdf: 217096 bytes, checksum: aa0a5dc2f100b3e50c05c63825118034 (MD5) Previous issue date: 2001; 中科院半导体所
学科主题	微电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18673]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王姝睿,刘忠立,梁桂荣,等. N型6H-SiCMOS电容的电学特性[J]. 半导体学报,2001,22(6):755-759.
APA	王姝睿,刘忠立,梁桂荣,梁秀芹,&马红芝.(2001).N型6H-SiCMOS电容的电学特性.半导体学报,22(6),755-759.
MLA	王姝睿,et al."N型6H-SiCMOS电容的电学特性".半导体学报 22.6(2001):755-759.