6H-SiC高压肖特基势垒二极管

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	6H-SiC高压肖特基势垒二极管
	徐萍
刊名	半导体学报
	2001
卷号	22 期号:8 页码:1052
中文摘要	在可商业获得的N型6H-SiC晶片上，通过化学气相淀积，进行同质外延生长，在此结构材料上，通过热蒸发，制作Ni/6H-SiC肖特基势垒二极管。测量并分析了肖特基二极管的电学特性，结果表明，肖特基二极管具有较好的整流特性
英文摘要	在可商业获得的N型6H-SiC晶片上，通过化学气相淀积，进行同质外延生长，在此结构材料上，通过热蒸发，制作Ni/6H-SiC肖特基势垒二极管。测量并分析了肖特基二极管的电学特性，结果表明，肖特基二极管具有较好的整流特性; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:23导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5367.pdf: 310223 bytes, checksum: 8dfad318a451207f53cc97fe053b60e3 (MD5) Previous issue date: 2001; 中科院半导体所
学科主题	微电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18639]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	徐萍. 6H-SiC高压肖特基势垒二极管[J]. 半导体学报,2001,22(8):1052.
APA	徐萍.(2001).6H-SiC高压肖特基势垒二极管.半导体学报,22(8),1052.
MLA	徐萍."6H-SiC高压肖特基势垒二极管".半导体学报 22.8(2001):1052.