硅片发生室温键合所需的平整度条件

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	硅片发生室温键合所需的平整度条件
	韩伟华
刊名	半导体学报
	2001
卷号	22 期号:12 页码:1516
中文摘要	根据薄板弹性力学，推导了室温键合过程中硅片接触表面缝隙封闭的临界条件。硅片的表面起伏幅度、起伏的空间波长、表面张力、材料弹性和硅片厚度都是影响接触表面缝隙封闭的重要因素。越薄的硅片越容易室温键合。
英文摘要	根据薄板弹性力学，推导了室温键合过程中硅片接触表面缝隙封闭的临界条件。硅片的表面起伏幅度、起伏的空间波长、表面张力、材料弹性和硅片厚度都是影响接触表面缝隙封闭的重要因素。越薄的硅片越容易室温键合。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:19导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5354.pdf: 248106 bytes, checksum: f83fbc8abdccf7e3d31981fbfb68ab46 (MD5) Previous issue date: 2001; 国家973计划,国家自然科学基金; 中科院半导体所
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家973计划,国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18613]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	韩伟华. 硅片发生室温键合所需的平整度条件[J]. 半导体学报,2001,22(12):1516.
APA	韩伟华.(2001).硅片发生室温键合所需的平整度条件.半导体学报,22(12),1516.
MLA	韩伟华."硅片发生室温键合所需的平整度条件".半导体学报 22.12(2001):1516.