InGaAs/InGaAsP量子阱激光器材料带隙蓝移研究

	InGaAs/InGaAsP量子阱激光器材料带隙蓝移研究
	刘超; 刘超; 叶小玲; 陈涌海
刊名	北京师范大学学报. 自然科学版
	2001
卷号	37 期号:2 页码:170
中文摘要	为了在光开关器件的制作中实现低传输损耗的光波导，对InGaAs/InGaAsP分别限制异质结多量子阱(SCH-MQW)激光器结构进行了一系列带隙蓝移实验。将能量1～2MeV、注量1～5×10~(13)cm~(-2)的P~+注入到实验样品后，在700℃下快速热退火90s。发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移9～89nm。蓝移量随着注入能量和注量的增大而增大，并且能量比注量对蓝移的影响更大。
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	北京市科技新星计划,国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18591]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	刘超,刘超,叶小玲,等. InGaAs/InGaAsP量子阱激光器材料带隙蓝移研究[J]. 北京师范大学学报. 自然科学版,2001,37(2):170.
APA	刘超,刘超,叶小玲,&陈涌海.(2001).InGaAs/InGaAsP量子阱激光器材料带隙蓝移研究.北京师范大学学报. 自然科学版,37(2),170.
MLA	刘超,et al."InGaAs/InGaAsP量子阱激光器材料带隙蓝移研究".北京师范大学学报. 自然科学版 37.2(2001):170.