掺铒SiO_x1.54μm强的室温光致发光

	掺铒SiO_x1.54μm强的室温光致发光
	陈维德 ; 马智训 ; 许振嘉 ; 何杰 ; 顾诠 ; 梁建军
刊名	发光学报
	1999
卷号	20 期号:1 页码:55
中文摘要	采用等离子化学汽相淀积方法，改变SiH_4和N_2O的流量比制备含有不同氧浓度的SiO_x。用离子注入方法将铒掺入SiO_x,经300～935℃快速热退火，在波长1.54μ处观察到很强的室温光致发光(PL)。发光强度随氧含量和激发功率增加而增加，与SiO_x的微结构有非常密切的关系。对可能的发光机理进行了讨论。
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18537]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈维德,马智训,许振嘉,等. 掺铒SiO_x1.54μm强的室温光致发光[J]. 发光学报,1999,20(1):55.
APA	陈维德,马智训,许振嘉,何杰,顾诠,&梁建军.(1999).掺铒SiO_x1.54μm强的室温光致发光.发光学报,20(1),55.
MLA	陈维德,et al."掺铒SiO_x1.54μm强的室温光致发光".发光学报 20.1(1999):55.