多种基底上溅射沉积ZnO薄膜的结构

	多种基底上溅射沉积ZnO薄膜的结构
	贺洪波 ; 范正修 ; 姚振钰
刊名	功能材料与器件学报
	1999
卷号	5 期号:1 页码:66
中文摘要	在玻璃基底踌地基底上用反应式直流磁控溅射法制备了ZnO薄膜。用AES和XRD对薄膜结构和组分进行测试，结果表明，五种基底上生长的ZnO薄膜在不同程度上都具有优良的纵向均匀性、明显的c轴择优取和向较高的结晶度，而硅基底上薄膜的结构普遍优于玻璃基底上沉积薄膜。
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18455]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	贺洪波,范正修,姚振钰. 多种基底上溅射沉积ZnO薄膜的结构[J]. 功能材料与器件学报,1999,5(1):66.
APA	贺洪波,范正修,&姚振钰.(1999).多种基底上溅射沉积ZnO薄膜的结构.功能材料与器件学报,5(1),66.
MLA	贺洪波,et al."多种基底上溅射沉积ZnO薄膜的结构".功能材料与器件学报 5.1(1999):66.