（n11）面上生长的Ⅲ-Ⅴ族半导体的喇曼散射研究

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	（n11）面上生长的Ⅲ-Ⅴ族半导体的喇曼散射研究
	张旺 ; 李国华 ; 朱作明 ; 陈晔 ; 韩和相 ; 汪兆平 ; 周伟 ; 孙中哲
刊名	红外与毫米波学报
	1999
卷号	18 期号:5 页码:385
中文摘要	报道不同指数面(n11)上生长的Ga_(0.5)Al_(0.5)As和In_(0.52)Al_(0.48)As系列样品的长光学声子模的室温喇曼散射测量结果。在背散射条件下不同的偏振配置下，观测到这些样品中对应的L0模和T0模的相对强度随着不同的指数面呈现出规律变化，同时把这一实验结果与(n11)指数面上生长的闪锌矿结构材料的喇曼散射选择定则的理论预计相比较实验结果与理论预期的一致。
英文摘要	报道不同指数面(n11)上生长的Ga_(0.5)Al_(0.5)As和In_(0.52)Al_(0.48)As系列样品的长光学声子模的室温喇曼散射测量结果。在背散射条件下不同的偏振配置下，观测到这些样品中对应的L0模和T0模的相对强度随着不同的指数面呈现出规律变化，同时把这一实验结果与(n11)指数面上生长的闪锌矿结构材料的喇曼散射选择定则的理论预计相比较实验结果与理论预期的一致。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:09:27导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5235.pdf: 238403 bytes, checksum: 9377879343b9c96ad96f3c37227b5bff (MD5) Previous issue date: 1999; 中科院半导体所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18375]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	张旺,李国华,朱作明,等. （n11）面上生长的Ⅲ-Ⅴ族半导体的喇曼散射研究[J]. 红外与毫米波学报,1999,18(5):385.
APA	张旺.,李国华.,朱作明.,陈晔.,韩和相.,...&孙中哲.(1999).（n11）面上生长的Ⅲ-Ⅴ族半导体的喇曼散射研究.红外与毫米波学报,18(5),385.
MLA	张旺,et al."（n11）面上生长的Ⅲ-Ⅴ族半导体的喇曼散射研究".红外与毫米波学报 18.5(1999):385.