InGaAs/InAlAs量子级联激光器研究

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	InGaAs/InAlAs量子级联激光器研究
	张权生 ; 刘峰奇 ; 张永照 ; 王占国 ; Gao Honghai ; A.Krier
刊名	红外与毫米波学报
	2001
卷号	20 期号:1 页码:41
中文摘要	简要报道了自行研制的InGaAs/InAlAs量子级联激光器的制备及其主要特性。该器件具有增强型脊型波导结构，在80K时阈值电流为0.5A，相应的阈值电流密度为5KA/cm~2。
英文摘要	简要报道了自行研制的InGaAs/InAlAs量子级联激光器的制备及其主要特性。该器件具有增强型脊型波导结构，在80K时阈值电流为0.5A，相应的阈值电流密度为5KA/cm~2。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:09:22导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5220.pdf: 247399 bytes, checksum: d94e7a37d3d7cce6d3072a33df9d2866 (MD5) Previous issue date: 2001; 国家自然科学基金,国家863计划; 中科院半导体所;Lancaster University
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金,国家863计划
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18345]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	张权生,刘峰奇,张永照,等. InGaAs/InAlAs量子级联激光器研究[J]. 红外与毫米波学报,2001,20(1):41.
APA	张权生,刘峰奇,张永照,王占国,Gao Honghai,&A.Krier.(2001).InGaAs/InAlAs量子级联激光器研究.红外与毫米波学报,20(1),41.
MLA	张权生,et al."InGaAs/InAlAs量子级联激光器研究".红外与毫米波学报 20.1(2001):41.