立方相GaN/GaAs（001）外延层中六角相的分布特征

	立方相GaN/GaAs（001）外延层中六角相的分布特征
	王玉田
刊名	中国科学. E辑，技术科学
	2001
卷号	31 期号:3 页码:217
英文摘要	于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:09:19导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5209.pdf: 221881 bytes, checksum: 7b5777701dc41f37ee14f356f2e0eb5d (MD5) Previous issue date: 2001; 中科院半导体所;地质矿产部矿床地质所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18323]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王玉田. 立方相GaN/GaAs（001）外延层中六角相的分布特征[J]. 中国科学. E辑，技术科学,2001,31(3):217.
APA	王玉田.(2001).立方相GaN/GaAs（001）外延层中六角相的分布特征.中国科学. E辑，技术科学,31(3),217.
MLA	王玉田."立方相GaN/GaAs（001）外延层中六角相的分布特征".中国科学. E辑，技术科学 31.3(2001):217.