InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器 | |
陈良惠![]() | |
刊名 | 中国激光
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1999 | |
卷号 | 26期号:5页码:390 |
中文摘要 | 优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角,又能降低腔面光功率密度的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变层量子阱激光器,并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器材料并研制出基横模输出功率大于140mW,激射波长为980nm的脊形波导应变量子阱激光器,其微分量子效率为0.8W/A,垂直和平行结平面方向远场发散角分别为28°和6.8°。 |
英文摘要 | 优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角,又能降低腔面光功率密度的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变层量子阱激光器,并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器材料并研制出基横模输出功率大于140mW,激射波长为980nm的脊形波导应变量子阱激光器,其微分量子效率为0.8W/A,垂直和平行结平面方向远场发散角分别为28°和6.8°。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:09:17导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5205.pdf: 212067 bytes, checksum: a35cc833941e123fbf76cf4fcda68af1 (MD5) Previous issue date: 1999; 中科院半导体所国家光电子工艺中心;北京工业大学 |
学科主题 | 光电子学 |
收录类别 | CSCD |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18315] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈良惠. InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器[J]. 中国激光,1999,26(5):390. |
APA | 陈良惠.(1999).InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器.中国激光,26(5),390. |
MLA | 陈良惠."InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器".中国激光 26.5(1999):390. |
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