InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器

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	InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
	陈良惠
刊名	中国激光
	1999
卷号	26 期号:5 页码:390
中文摘要	优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角，又能降低腔面光功率密度的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变层量子阱激光器，并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器材料并研制出基横模输出功率大于140mW，激射波长为980nm的脊形波导应变量子阱激光器，其微分量子效率为0.8W/A，垂直和平行结平面方向远场发散角分别为28°和6.8°。
英文摘要	优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角，又能降低腔面光功率密度的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变层量子阱激光器，并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器材料并研制出基横模输出功率大于140mW，激射波长为980nm的脊形波导应变量子阱激光器，其微分量子效率为0.8W/A，垂直和平行结平面方向远场发散角分别为28°和6.8°。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:09:17导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5205.pdf: 212067 bytes, checksum: a35cc833941e123fbf76cf4fcda68af1 (MD5) Previous issue date: 1999; 中科院半导体所国家光电子工艺中心;北京工业大学
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18315]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈良惠. InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器[J]. 中国激光,1999,26(5):390.
APA	陈良惠.(1999).InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器.中国激光,26(5),390.
MLA	陈良惠."InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器".中国激光 26.5(1999):390.