4 * 4区域调制多模干涉耦合器SOI光波导开关的设计

	*4 4区域调制多模干涉耦合器SOI光波导开关的设计**
	严清峰 ; 余金中 ; 刘忠立
刊名	半导体光电
	2002
卷号	23 期号:3 页码:174-177
中文摘要	根据区域调制多模干涉耦合器光开关的工作原理，以2 * 2区域调制多模干涉光开关为基础，采用级联的方式设计了4 * 4区域调制多模干涉SOI光波导开关。用有限差分二维BPM方法模拟了器件在不同工作状态下的光场传输情况。器件工作波长为1.55 μm，在不计耦合损耗时器件的平均插入损耗小于2.0 dB/cm。
学科主题	微电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学重大基金资助项目（6999 54 ，6989626 ）,“973”资助项目（G2 366）
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18123]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	严清峰,余金中,刘忠立. 4 * 4区域调制多模干涉耦合器SOI光波导开关的设计[J]. 半导体光电,2002,23(3):174-177.
APA	严清峰,余金中,&刘忠立.(2002).4 * 4区域调制多模干涉耦合器SOI光波导开关的设计.半导体光电,23(3),174-177.
MLA	严清峰,et al."4 * 4区域调制多模干涉耦合器SOI光波导开关的设计".半导体光电 23.3(2002):174-177.