4 * 4区域调制多模干涉耦合器SOI光波导开关的设计 | |
严清峰 ; 余金中 ; 刘忠立 | |
刊名 | 半导体光电
![]() |
2002 | |
卷号 | 23期号:3页码:174-177 |
中文摘要 | 根据区域调制多模干涉耦合器光开关的工作原理,以2 * 2区域调制多模干涉光开关为基础,采用级联的方式设计了4 * 4区域调制多模干涉SOI光波导开关。用有限差分二维BPM方法模拟了器件在不同工作状态下的光场传输情况。器件工作波长为1.55 μm,在不计耦合损耗时器件的平均插入损耗小于2.0 dB/cm。 |
学科主题 | 微电子学 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家自然科学重大基金资助项目(6999 54 ,6989626 ),“973”资助项目(G2 366) |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18123] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 严清峰,余金中,刘忠立. 4 * 4区域调制多模干涉耦合器SOI光波导开关的设计[J]. 半导体光电,2002,23(3):174-177. |
APA | 严清峰,余金中,&刘忠立.(2002).4 * 4区域调制多模干涉耦合器SOI光波导开关的设计.半导体光电,23(3),174-177. |
MLA | 严清峰,et al."4 * 4区域调制多模干涉耦合器SOI光波导开关的设计".半导体光电 23.3(2002):174-177. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论