快速响应SOI马赫曾德热光调制器

	快速响应SOI马赫曾德热光调制器
	魏红振 ; 余金中 ; 夏金松 ; 严清峰 ; 刘忠立 ; 房昌水
刊名	半导体学报
	2002
卷号	23 期号:5 页码:509-512
中文摘要	给出了Y分支MZI热光调制器的模型，实验研制了基于SOI（silicon-on-insulator）的MZI热光调制器，调制器的消光比为16.5dB，开关的上升时间为10μs，下降时间为20μs，相应的功耗为0.39W
学科主题	微电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金（批准号
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18107]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	魏红振,余金中,夏金松,等. 快速响应SOI马赫曾德热光调制器[J]. 半导体学报,2002,23(5):509-512.
APA	魏红振,余金中,夏金松,严清峰,刘忠立,&房昌水.(2002).快速响应SOI马赫曾德热光调制器.半导体学报,23(5),509-512.
MLA	魏红振,et al."快速响应SOI马赫曾德热光调制器".半导体学报 23.5(2002):509-512.