掺P、B对纳米Zn-O薄膜电学特性的影响

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	掺P、B对纳米Zn-O薄膜电学特性的影响
	王文青 ; 宋淑芳 ; 艾家和 ; 韩晓英 ; 赵金茹 ; 许宏飞 ; 史利军
刊名	电子显微学报
	2002
卷号	21 期号:5 页码:659-660
中文摘要	现在普遍采用ITO薄膜(In_2O_3:Sn)作为太阳电池的窗口材料，但由于In资源的稀缺，使太阳能电池的成本增加。Zn-O是一种低成本材料，具有良好的电学、光学特性，因此可代替ITO薄膜作为窗口材料。由于ZnO/n-Si异质结太阳电池的转化效率为6.9%～8.5%，而ITO光电转换效率为12%～15%，采用液态源掺杂方法，取得较好效果，证实了掺P、B对纳米ZnO薄膜提高导电性是有效的。本文利用扫描俄歇探针等手段研究分析了掺P、B随热处理温度的变化对纳米Zn-O薄膜电学特性的影响。在研制过程中，对掺入P、B的纳米Zn薄膜，曾采用X射线衍射议进行分析，其结果未见P、B。
英文摘要	现在普遍采用ITO薄膜(In_2O_3:Sn)作为太阳电池的窗口材料，但由于In资源的稀缺，使太阳能电池的成本增加。Zn-O是一种低成本材料，具有良好的电学、光学特性，因此可代替ITO薄膜作为窗口材料。由于ZnO/n-Si异质结太阳电池的转化效率为6.9%～8.5%，而ITO光电转换效率为12%～15%，采用液态源掺杂方法，取得较好效果，证实了掺P、B对纳米ZnO薄膜提高导电性是有效的。本文利用扫描俄歇探针等手段研究分析了掺P、B随热处理温度的变化对纳米Zn-O薄膜电学特性的影响。在研制过程中，对掺入P、B的纳米Zn薄膜，曾采用X射线衍射议进行分析，其结果未见P、B。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:08:14导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5073.pdf: 123873 bytes, checksum: d450567275ebb28bfb7161fe5b80049a (MD5) Previous issue date: 2002; 中国兵器工业第五二研究所;中国科学院半导体研究所;北京科技大学
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18053]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王文青,宋淑芳,艾家和,等. 掺P、B对纳米Zn-O薄膜电学特性的影响[J]. 电子显微学报,2002,21(5):659-660.
APA	王文青.,宋淑芳.,艾家和.,韩晓英.,赵金茹.,...&史利军.(2002).掺P、B对纳米Zn-O薄膜电学特性的影响.电子显微学报,21(5),659-660.
MLA	王文青,et al."掺P、B对纳米Zn-O薄膜电学特性的影响".电子显微学报 21.5(2002):659-660.