电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布 | |
张秀兰 ; 张富强 ; 宋书林 ; 陈诺夫 ; 王占国 ; 胡文瑞 ; 林兰英 | |
刊名 | 科学通报
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2002 | |
卷号 | 47期号:17页码:1299-1301 |
中文摘要 | 采用电化学C-V方法和Tiron电解液研究了GaMnSb/GaSb单晶载流子浓度的纵向分布,所得结果与Hall测量结果和X射线衍射分析结果一致。研究结果表明GaMnSb单晶中的Mn原子替代了GaSb中部分Ga原子的位置,并在GaSb中形成了浅受主能级。 |
英文摘要 | 采用电化学C-V方法和Tiron电解液研究了GaMnSb/GaSb单晶载流子浓度的纵向分布,所得结果与Hall测量结果和X射线衍射分析结果一致。研究结果表明GaMnSb单晶中的Mn原子替代了GaSb中部分Ga原子的位置,并在GaSb中形成了浅受主能级。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:48导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5018.pdf: 244661 bytes, checksum: 6154192c02d66cc0f198015e8cfbf22a (MD5) Previous issue date: 2002; 科学技术部攀登预研(批准号:PAN95-YU-34),国家重大基础研究计划(批准号:G2 683),国家重大基础研究计划(批准号:G2 365),国家自然科学基金(批准号:6 176 1)资助项目; 中国科学院半导体研究所; |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 科学技术部攀登预研(批准号:PAN95-YU-34),国家重大基础研究计划(批准号:G2 683),国家重大基础研究计划(批准号:G2 365),国家自然科学基金(批准号:6 176 1)资助项目 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17943] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张秀兰,张富强,宋书林,等. 电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布[J]. 科学通报,2002,47(17):1299-1301. |
APA | 张秀兰.,张富强.,宋书林.,陈诺夫.,王占国.,...&林兰英.(2002).电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布.科学通报,47(17),1299-1301. |
MLA | 张秀兰,et al."电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布".科学通报 47.17(2002):1299-1301. |
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