电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布

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	电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布
	张秀兰 ; 张富强 ; 宋书林 ; 陈诺夫 ; 王占国 ; 胡文瑞 ; 林兰英
刊名	科学通报
	2002
卷号	47 期号:17 页码:1299-1301
中文摘要	采用电化学C-V方法和Tiron电解液研究了GaMnSb/GaSb单晶载流子浓度的纵向分布，所得结果与Hall测量结果和X射线衍射分析结果一致。研究结果表明GaMnSb单晶中的Mn原子替代了GaSb中部分Ga原子的位置，并在GaSb中形成了浅受主能级。
英文摘要	采用电化学C-V方法和Tiron电解液研究了GaMnSb/GaSb单晶载流子浓度的纵向分布，所得结果与Hall测量结果和X射线衍射分析结果一致。研究结果表明GaMnSb单晶中的Mn原子替代了GaSb中部分Ga原子的位置，并在GaSb中形成了浅受主能级。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:48导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5018.pdf: 244661 bytes, checksum: 6154192c02d66cc0f198015e8cfbf22a (MD5) Previous issue date: 2002; 科学技术部攀登预研（批准号：PAN95-YU-34）,国家重大基础研究计划（批准号：G2 683）,国家重大基础研究计划（批准号：G2 365）,国家自然科学基金（批准号：6 176 1）资助项目; 中国科学院半导体研究所;
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	科学技术部攀登预研（批准号：PAN95-YU-34）,国家重大基础研究计划（批准号：G2 683）,国家重大基础研究计划（批准号：G2 365）,国家自然科学基金（批准号：6 176 1）资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17943]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	张秀兰,张富强,宋书林,等. 电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布[J]. 科学通报,2002,47(17):1299-1301.
APA	张秀兰.,张富强.,宋书林.,陈诺夫.,王占国.,...&林兰英.(2002).电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布.科学通报,47(17),1299-1301.
MLA	张秀兰,et al."电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布".科学通报 47.17(2002):1299-1301.