Implantation induced defects and electrical properties of Sb-implanted ZnO | |
Hui Xie ; Tong Liu ; JingMing Liu ; KeWei Cao ; ZhiYuan Dong ; Jun Yang ; YouWen Zhao | |
刊名 | science china technological sciences |
2015 | |
卷号 | 58期号:8页码:1333-1338 |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2016-03-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26862] |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Hui Xie,Tong Liu,JingMing Liu,et al. Implantation induced defects and electrical properties of Sb-implanted ZnO[J]. science china technological sciences,2015,58(8):1333-1338. |
APA | Hui Xie.,Tong Liu.,JingMing Liu.,KeWei Cao.,ZhiYuan Dong.,...&YouWen Zhao.(2015).Implantation induced defects and electrical properties of Sb-implanted ZnO.science china technological sciences,58(8),1333-1338. |
MLA | Hui Xie,et al."Implantation induced defects and electrical properties of Sb-implanted ZnO".science china technological sciences 58.8(2015):1333-1338. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论