二元高－k材料研究进展及制备

	二元高－k材料研究进展及制备
	杨少延
刊名	功能材料
	2002
卷号	33 期号:5 页码:462-464
中文摘要	随着大规模集成电路的发展，需要一种高介质材料来代替传统的SiO2,介绍了可能替代SiO2的几种二元材料的研究现状，主要包括Si3N4,Ta2O5,TiO2,ZrO2,Y2O3,Gd2O3和CeO2几种材料的结构和电学性能，以及制备薄膜的几种方法；蒸发法，化学气相沉积和离子束沉积。
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家973基金资助项目（G2 365 5）
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17791]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	杨少延. 二元高－k材料研究进展及制备[J]. 功能材料,2002,33(5):462-464.
APA	杨少延.(2002).二元高－k材料研究进展及制备.功能材料,33(5),462-464.
MLA	杨少延."二元高－k材料研究进展及制备".功能材料 33.5(2002):462-464.